InSb锑化铟探测器



光伏锑化铟探测器采用单晶材料台面技术的p-n结结构,在1-5.5mm之间有着很好的光谱响应。这些探测器是背景限制(BLIP)探测器,可以通过空间增强(制冷 FOV stops)或频谱手段(制冷干扰滤波器)减少背景光的影响。

光谱响应曲线:

基本参数:

Standard Photovoltaic Indium Antimonide Detectors

Model Number

FOV=60O,  (lpk,1000,1)                      

Std. Pkg.          

Std. Window

Active    

 Area    

Element

 (mm)   

 D*      

(cmHz1/2W-1)

Responsivity

 (lp)       

Resistanc

(Rd)     

(W)     

Capac

Itance

(Cd) 

(pF) 

Short 

Circuit

Current

 (mA) 

Open 

Circuit Voltage

 Vcc 

 (mV)

Opera  

Ting     

 Temp.

(K)   

IS-0.5

θ.5/.5x.5

>1.0E11  


>2 A/W 


500K    

100    

2    

  80          

  to   

125  

77      

MSL-8 

MSL-12 

Or   

MDL-8 MDL-12

Sapphire

IS-1.0

θ1/1x1 

350K    

350    

8     

IS-2.0 

θ2/2x2 

100K   

1500    

  30   

MSL-8 Side Looking Metal Dewar---8 Hour Hold Time            MSL-12 Side Looking Metal Dewar---12 Hour Hold Time 

MDL-8 Down Looking Metal Dewar---8 Hour Hold Time             MDL-12 Down Looking Metal Dewar---12 Hour Hold Time

典型应用:

医用热成像、热成像、光谱学、辐射测量、科学研究、红外显微镜

400-858-0888 北京市朝阳区,酒仙桥东路一号M7栋东五层 010-84569901